“中 CXMT, 올해 D램 출하 50% 증가”

중국 창신메모리(CXMT)의 D램 출하량이 올해 50% 증가할 것이란 분석이 나왔다.

시장조사업체 카운터포인트리서치는 출하량 기준 CXMT D램 시장 점유율이 1분기 6%에서 4분기 8%까지 확대될 전망이라며 20일 이같이 밝혔다.

특히 고사양 제품인 DDR5, LPDDR5에서의 시장점유율이 1분기 기준 1% 미만이지만 4분기 7~9%까지 늘어날 것으로 예상했다.

CXMT는 2016년 설립된 회사로 2019년 DDR4 제품을 양산하며 시장에 진입했다. 빠르게 기술력을 끌어올려 지난해 4세대(1z) D램 기반 DDR5 제품 양산을 시작하며 격차를 좁혔다.

D램을 수직으로 쌓아 데이터 처리 성능을 극대화한 고대역폭메모리(HBM) 사업도 시작했다. HBM2를 양산한 데 이어 HBM3를 준비 중이다.

다만 카운터포인트리서치는 CXMT가 D램 제조공정인 HKMG(High-k Metal Gate) 공정에서 어려움을 겪고 있다고 진단했다. HKMG 공정은 최신 D램의 전력 효율과 성능을 동시에 충족시키기 위해 반드시 필요한 공정이다.

최정구 카운터포인트 책임연구원 “HKMG 기술적 난제로 CXMT 차세대 D램은 5세대(1b) 제품보다 공정이 낮은 4세대(1a) 제품이 될 가능성이 크다”며 “그러나 3D D램 혁신에 중점을 두고, 지속적인 증설이 예상된다”고 말했다.

박진형 기자 jin@etnews.com