[미디어펜=김견희 기자]내년에도 고부가 제품인 고대역폭메모리(HBM) 쏠림 현상이 지속될 것이란 전망이 나오는 가운데 삼성전자는 본원 경쟁력 확보에 초점을 두고 6세대 HBM4(고대역폭메모리) 개발에 총력을 기울일 방침이다.
17일 업계에 따르면 삼성전자는 내년 하반기 양산을 목표로 6세대 제품인 HBM4 개발을 이어가고 있다. 특히 HMB4에는 '1c 공정(10나노급 6세대 D램)' D램을 적용해 해법을 모색한다는 방침이다.
HBM은 여러 D램을 수직으로 쌓은 제품으로, D램의 성능과 안정적 수율이 경쟁력으로 작용한다. 1c 공정으로 갈수록 선폭이 좁고, 선폭이 좁을 수록 반도체 원판에서 나오는 D램 생산량이 늘어나 손익 경쟁력을 높일 수 있다.
반도체 후공정에 해당하는 패키징 시설도 마련한다. 삼성전자는 충남 천안시 삼성디스플레이 건물을 일부 임차해 반도체 후공정에 해당하는 패키징 라인도 증설하기로 했다. 가동은 2027년을 목표로 한다.
삼성전자가 패키징 설비를 증설하는 이유는 HBM4 준비를 위한 포석으로도 풀이된다. HBM4부터는 그래픽처리장치(GPU)와 HBM을 연결해주는 베이스다이에 고객사가 요구하는 기능을 추가하는 로직 공정을 적용해야한다.
이렇듯 삼성전자가 HBM4 개발에 공을 들이는 이유는 아직 출시 이전인 제품 경쟁력을 높여 시장 점유율을 확보하겠다는 전략으로 풀이된다. HBM3E 8단, 12단 제품에서 이미 경쟁사와의 시장 진입 격차가 존재하기 때문에 차세대 HBM 제품에서 해법을 찾겠다는 의도다.
이와 함께 삼성전자는 HBM3E에 대한 엔비디아의 퀄테스트가 아직 완료되지 않은 시점이지만, 단기적인 해결책 찾기에 급급하기 보다 근원적 경쟁력을 확보하는 데 중점을 둔다는 방침이다. 시간이 걸리더라도 근본적 문제를 해결해 확실한 결과물을 얻겠다는 뜻이다.
전영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문 부회장은 지난 3분기 잠정실적 발표 직후 "단기적인 해결책보다는 근원적인 경쟁력을 확보하겠다"고 선언했으며, 올해 연말 조직 개편에서 HBM개발팀이 속한 메모리사업부를 전 부회장 직할 체제로 배치했다.