[단독] SK하이닉스, '16단' HBM3E 개발 완료…HBM 기술 리더십 지킨다

SK하이닉스가 16단 5세대 고대역폭메모리(HBM3E)에 대한 자체 개발을 완료한 것으로 확인됐다. 업계 최초의 16단 HBM을 통해 라이벌 회사인 삼성전자와 마이크론에 기술 리더십을 빼앗기지 않겠다는 의지로 풀이된다.

23일 업계에 따르면 SK하이닉스는 회사의 내부 평가를 통해 16단 HBM3E의 동작 특성을 확보하는 데 성공했다.

SK하이닉스는 2월 미국에서 열린 ISSCC 학회에서 16단 HBM3E에 대한 논문을 발표한 적 있다. 당시에는 제품의 콘셉트와 학술적 의미를 소개하는 정도였지만 한 걸음 더 나아가 시장에 출시한 8·12단 HBM에 준하는 특성을 확보했다는 것에 의미가 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아서 만든 칩이다.

AI 업계는 데이터 폭증에 따라 더 높은 단수의 HBM을 요구하고 있다. 메모리 업계가 현재까지 활용되고 있는 8·12단 HBM을 넘어 16단 개발에 주력하고 있는 이유다. SK하이닉스는 당초 HBM3E은 8단과 12단 제품까지만 출시하고 16단은 6세대 HBM(HBM4)부터 적용하는 것이 목표였다. 하지만 HBM3E에서도 16단까지 도전하는 이유는 독자 개발한 HBM 공정인 MR-MUF 기술의 안정성·고용량 HBM에 대한 자신감 등을 어필하기 위함으로 풀이된다.

SK하이닉스는 16단 제품 개발과 함께 세계 1위 엔비디아에 12단 HBM3E 승인(퀄) 테스트도 진행하고 있다. TSMC와 협력한 HBM4도 4분기 내에 설계 완료(테잎 아웃)해 내년에 양산할 계획이다.