[단독] 삼성, 실무 리더급 과감한 교체로 HBM 돌파구 모색...성과냈던 인재 투입 "1c D램 개발 속도"

1c 팀, 1b 팀 부차장급 실무진 투입

성공 사례 활용 취지...내부에서 1b 공정 성공적이라는 평가

연내 HBM4에 1c D램 적용 양산은 불투명하다는 분위기

[녹색경제신문 = 문슬예 기자] 삼성전자가 10나노급 6세대(1c) D램의 수율 확보에 어려움을 겪으며 조직 쇄신 및 설계 재검토를 진행한 것으로 알려졌다. 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 1c 담당 실무 리더급 인사를 조정하며, 1b D램 팀에서 인력을 영입했다.

4일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 1c D램 담당 PA(Process Architecture) 팀의 실무 리더(차장·부장급)와 1b D램 팀의 실무 리더진을 교체했다. 수율 문제 해결을 위해 성공 사례(1b 팀)의 인재와 노하우를 최대한 활용하고자 한 인사 조처다.

비슷한 상품을 개발하는 사업부간 인력을 맞바꾼 이같은 인사조치는 삼성전자 반도체사업부에선 매우 드문 사례라는 게 내부자들의 전언이다.

삼성전자가 차세대 메모리 시장에서 경쟁력을 유지하기 위해 1c D램 개발에 사활을 거는 가운데, 예상보다 낮은 수율로 인해 내부적으로 변화의 필요성이 대두됐다는 분석이다.

반도체 업계 관계자는 “메모리사업부 내에서 개발이 성공적으로 마무리됐다는 평가를 받는 1b 공정 담당 PA 팀의 실무 리더급이 1c 담당 팀으로 옮겼다”며 “실제로 1b 팀 인력이 합류한 이후 수율 개선에 긍정적인 신호가 감지되고 있다”고 말했다.

삼성전자는 D램 연구개발을 격세대로 나눠 진행한다. 1a/1c 팀과 1b/1d 팀으로 구분된 조직에서, 1b와 1c 팀 간 차장·부장급 실무 리더를 교환하며 변화를 모색한 것으로 풀이된다.

실제로 1b D램 팀은 업계 유일 32기가비트(Gb) 제품 양산에 성공하며 안정성과 기술력을 인정받았다. 32Gb D램은 ‘하이케이 메탈 게이트(HKMG, 고유전율 금속 게이트)’ 기술을 적용해 성능과 전력 효율을 높였으며, 특히 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통 전극) 공정 없이도 128GB 모듈을 구현할 수 있어 의미가 큰 것으로 알려졌다.

반도체 업계 관계자에 따르면 해당 조직 쇄신 과정에서 1c D램을 맡았던 삼성전자 반도체 메모리사업부 임원도 대거 경질된 것으로 알려졌다.

한편, 삼성전자는 1c D램 쇄신을 위해 최근 재설계도 진행했다. 내부 소식통에 따르면 삼성전자는 초기의 혁신적 접근을 일부 철회하고 안정성을 강화하는 방향으로 설계를 수정한 것으로 알려졌다.

관계자는 “설계 수정은 개발 단계를 거스르는 것으로 시간과 비용이 많이 드는 결정이지만, 양산 가능성을 높이기 위해 불가피했다”고 말했다.

이 과정에서 1c D램을 올해 하반기 양산 예정인 HBM4(6세대 고대역폭 메모리)에 탑재하려던 계획도 흔들리고 있는 것으로 알려졌다. 삼성전자 내부에서는 연내 HBM4 1c 적용 양산은 불투명하다는 분위기가 감지되고 있다.

삼성전자는 지난 1월 실적 컨퍼런스콜에서 “1c 나노 기반 HBM4는 올해 하반기 양산을 목표로 개발 진행 중”이라고 밝힌 바 있다. 이는 당초 올해 상반기로 예정됐던 양산 일정이 다소 늦춰진 것이다.

문슬예 기자 lycaon@greened.kr

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