삼성 추격에 다시 ‘2나노’로 달아나는 TSMC···“대만 공장서 양산 시작”

세계 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 기업 TSMC가 대만 공장에서 최첨단 2나노(㎚·10억분의 1ｍ) 공정 제품을 양산하고 있다고 발표했다.

31일 연합보 등 대만 언론에 따르면 TSMC는 전날 공식 웹사이트를 통해 남부 가오슝 난쯔 과학단지에 있는 22팹(반도체 생산공장)에서 2나노(N2) 공정 제품을 양산 중이라고 밝혔다.

TSMC는 N2 공정에 1세대 게이트 올어라운드(GAA) 나노시트 트랜지스터 기술을 적용해 성능과 전력 소비 측면에서 획기적인 진전을 이뤘다고 의미를 부여했다. 또 반도체 칩 상부에 전기적 연결을 위한 금속 배선과 절연층을 형성하는 재배선층(RDL)과 초고성능 금속 절연체 금속(SHPMIM) 커패시터 등을 개발해 표면저항(Rs)과 접촉저항(Rc)을 각각 50% 줄였다고 전했다.

TSMC는 이러한 기술 혁신을 통해 더욱 안정적인 전원 공급과 우수한 연산 성능, 전반적인 에너지 효율 최적화를 구현할 수 있다고 강조했다.

업계 소식통은 TSMC의 N2 공정이 기존 핀펫(FinFET) 트랜지스터 기술에서 한 단계 도약한 GAA 나노시트 트랜지스터를 처음 본격 적용한 기술 혁신 사례라고 평가했다. 이를 통해 성능과 전력 효율을 유지하면서도 트랜지스터 크기를 더욱 줄이고 집적도를 크게 높일 수 있다는 설명이다.

다른 소식통은 TSMC가 남부 가오슝 22팹의 N2 공정 양산을 공식 공개했지만, 북부 신주과학단지 바오산 지역의 20팹 1공장에서 22팹보다 앞서 양산을 시작한 것으로 알려졌다고 전했다.

TSMC는 현재 약 5만 개 수준인 20팹과 22팹의 월간 생산능력을 내년 말까지 10만 개 이상, 2027년에는 20만 개 이상으로 확대하는 방안을 검토 중인 것으로 전해졌다.