纽斯频通讯社首尔12月4日电 消息称，韩国三星电子近日完成第六代高带宽存储器（HBM4）内部质量验证，已做好量产准备。公司已完成生产准备批准（PRA），若客户样品测试获得通过将立即启动量产。
据业界4日消息，三星电子已于2日完成HBM4的PRA程序。
PRA是内部质量评估的最后阶段，只有在良率、性能与设计稳定性达到量产标准时才能通过。业界推测，若客户质量测试在短期内完成，三星电子将立刻启动生产线。
HBM4的技术性能较前代大幅提升。三星电子将10纳米级（1c）第六代DRAM核心与采用4纳米代工工艺的逻辑芯片结合，使运行速度提升至每秒11Gb以上。
业内认为，这意味着三星已凭借较高的技术完成度具备应对下一代人工智能（AI）半导体需求的能力。
三星电子目前已向英伟达（NVIDIA）、谷歌等主要客户提供样品，预计最快本月完成质量测试。获得最终批准后，三星将以平泽P4产线为中心量产并计划在2026年提升供货速度。
随着英伟达宣布明年下半年量产下一代Rubin CPU及谷歌加大面向TPU的HBM采购力度，在AI需求持续扩大的背景下，高带宽存储器市场供应竞争有望进一步加强。（完）
韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社
