삼성전자, 1c D램 확 키운다…내년 월 20만장 확보

삼성전자가 10나노미터급 6세대 D램(이하 1c D램) 승부수를 띄운다. 내년 1c D램 생산능력을 대거 확충할 계획인 것으로 파악됐다. 삼성이 D램 시장 주도권 탈환에 시동을 걸었다는 해석이다.

18일 취재를 종합하면, 삼성전자는 내년 말까지 1c D램 생산능력을 웨이퍼 투입량 기준 월 20만장 규모로 확대할 계획이다. 구체적으로 올 연말(4분기)까지 월 6만장을 갖추고, 내년 2분기까지는 8만장을 추가할 예정이다. 여기에 내년 4분기 6만장을 더해 총 20만장을 확보한다는 구상이다. 시점은 장비가 구축되는 '셋업' 기준으로, 각 해당 시점에 바로 양산할 수 있는 체계를 갖추는 것이 목표다.

사안에 정통한 업계 관계자는 “내년 말까지 1c D램에 대한 지속적인 생산능력 투자가 이어질 예정”이라며 “공급능력을 미리 확보함으로써 차세대 D램 시장을 선점하려는 시도”라고 밝혔다.

1c D램은 가장 최근 개발된 메모리다. D램은 집적도에 따라 세대를 나눈다. 1a가 4세대, 1b가 5세대, 1c를 6세대로 분류된다. 통상적으로 1c는 회로선폭이 11나노미터(㎚) 이하, 다중 극자외선(EUV) 레이어를 적용한 제품이다.

삼성전자가 1c D램만 월 20만장 규모로 생산능력을 갖추는 건 이례적인 일이다. 삼성의 전체 D램 생산능력은 현재 월 65~70만장이다. 20만장은 전체 D램의 3분의 1 규모에 해당하는데다, 삼성전자가 반도체 호황기이던 2022년 투자한 D램 생산능력 13만장을 훌쩍 상회한다. 삼성은 기존 D램 라인의 공정 전환과 평택 4공장(P4) 라인 신규 투자를 통해 20만장 규모를 갖출 것으로 알려졌다.

1c D에 대한 자신감과 함께 D램 수요가 강력해 내린 결정으로 풀이된다. 실제로 D램은 인공지능(AI) 영향으로 수요 대비 공급이 부족한 상황이다. 고대역폭메모리(HBM) 뿐만 아니라 일반 D램까지 품귀 현상이 벌어지고 있다. 아직 만들어지지도 않은 제품을 입도선매할 정도로 D램 수요가 폭발적으로 늘어나고 있는 가운데 차세대 D램인 1c D 개발까지 성공적으로 이뤄지자 삼성은 대규모 증설 투자를 결정한 것으로 해석된다. 경쟁력 있는 1c D램을 대량 생산해 시장을 선점하겠다는 것이다.

삼성전자는 지난 16일 5년간 450조원 투자 계획을 발표하면서 생산능력 확보 의지를 강조했다. 회사는 “글로벌 AI 시대가 본격화되면서 메모리 반도체 중장기 수요가 확대될 것”이라며 “시장 변화에 신속하게 대응하기 위해 생산라인을 선제적으로 확보할 계획”이라고 밝혔다.

이번 투자로 삼성전자가 세계 1위 D램 위상을 되찾을지 주목된다. 삼성전자는 HBM 공급에 난항을 겪으면서 D램 시장(올 1~3분기 기준)에서 SK하이닉스에 1위를 뺏긴 바 있다. HBM은 D램을 쌓아 만들기 때문에 HBM 판매가 부진하면 D램 출하도 감소된다.

삼성전자 관계자는 1c D램 투자와 관련 “급증하는 수요에 대응하기 위해 다양한 방안을 검토 중”이라면서도 “구체적인 계획에 대해서는 확인해 줄 수 없다”고 말했다.

권동준 기자 djkwon@etnews.com