7나노에 막힌 중국 반도체, 스태킹 기술로 엔비디아 4나노 돌파 나섰다

[베이징=뉴스핌] 조용성 특파원 = 중국의 반도체 전문가가 첨단 공정을 사용하지 않고도 엔비디아 칩 성능에 도달할 수 있다고 주장했다.

홍콩 SCMP의 3일 보도에 따르면, 중국 반도체 산업 협회 부회장이며, 대표적인 현지 반도체 전문가인 웨이샤오쥔(魏少軍) 칭화(清華)대 교수가 성숙 공정으로 제조된 칩과 새로운 컴퓨팅 아키텍처를 결합하면 4나노 칩의 성능을 낼 수 있다고 말했다.

웨이샤오쥔 교수는 "14나노 로직 칩과 18나노 D램을 3차원(D) 하이브리드 본딩 기술로 쌓아 올리고, 소프트웨어 혁신을 이뤄낸다면 엔비디아의 4나노 GPU(그래픽 처리 장치)의 연산 성능을 낼 수 있다"고 발언했다. 또한 그는 "로직 칩과 D램을 가까이 배치하면 비용과 전력 소모를 크게 줄일 수 있다"고도 강조했다. 웨이샤오쥔 교수는 "이 같은 계획은 전적으로 중국 내 반도체 공급망으로도 실현이 가능하다"고 소개했다.

웨이샤오쥔 교수의 방안은 중국의 대형 IT 기업인 화웨이(華爲)가 개발하고 있는 칩 스태킹(chip stacking) 기술과 유사하다. 미국의 제재로 인해 중국은 EUV(극자외선) 노광기를 수입할 수 없는 상황이 이어지고 있다. 이로 인해 중국의 반도체 공정은 7나노 공정에 막혀 있다.

중국은 7나노 공정으로 생산된 반도체를 기반으로 4나노급의 성능을 내기 위한 노력을 기울이고 있으며, 대표적인 예가 화웨이의 스태킹 방식이다. 만약 중국이 칩 스태킹을 통해 4나노급 성능의 반도체를 만들어낸다면 중국은 미국의 대중국 반도체 제재를 완벽하게 돌파해내는 결과를 맞게 된다.

다만 3D 스태킹과 하이브리드 결합은 제조 난이도가 높고, 대량 생산 시 수율 문제가 발생한다. 또한 아직 현실화되지 않은 기술인 만큼 실제 성능 구현까지는 상당한 시간이 소요될 것이라는 예상이 나오고 있다.

ys1744@newspim.com